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P沟道MOSFET（PMOS）和N沟道MOSFET（NMOS）是互补金属氧化物半导体技术的两种基本元件，它们的核心差异源于导电载流子的类型不同（空穴 vs. 电子）。这导致了它们在几乎所有电气特性和应用上的互补性。

下面是它们的主要特性差异对比，并附有详细说明：

核心差异对比表

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特性	P沟道MOSFET	N沟道MOSFET	说明与影响
载流子	空穴（带正电）	电子（带负电）	这是所有差异的物理根源。空穴迁移率较低。
导通条件	栅极电压 < 源极电压，且	V_GS	>
阈值电压 V_th	负值（通常 -0.4V 到 -1.2V）	正值（通常 0.4V 到 0.7V）	PMOS的V_th绝对值通常略高于NMOS。