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简介：《LPDDR4 信号完整性测试指导》面向从事移动终端、嵌入式存储硬件设计与DDR信号调试的工程师，聚焦LPDDR4高速内存链路在CK时钟、DQS数据选通及读写时序上的测试难点。文档围绕差分与单端信号的电压、斜率、判决门限和交叉点展开，并给出tCK(avg)、tCH(avg)、tCL(avg)、tDQSCK、tDQSQ、tQH、tDQS2DQ等关键参数的测量方法与实测波形说明，涉及MR12、MR14、MR1等寄存器配置对判定的影响，可作为信号处理与单元测试环节的参考手册。资源包共1个docx文件，约4.1MB，目录按CK测试、DQS测试、时序测试分章组织，便于按模块查阅。已有2002人学习下载，适合需要建立测试流程、核对JESD209-4B指标或排查读写时序问题的读者使用。

1. LPDDR4 信号完整性测试：先测 CK 还是先测 DQS，顺序错了要多花两天

板子回来能点亮，跑压力测试却偶发读写出错，硬件怀疑电源、软件怀疑驱动，最后把示波器推过来，才发现 CK 的交叉点偏了、DQS 的 preamble 类型和寄存器设置对不上。LPDDR4 信号完整性测试要解决的正是这类说不清的问题。这份《LPDDR4 信号完整性测试指导》把 CK、DQS 两组差分信号和读、写两侧十几个时序参数逐项列清定义、测量方式和判定门限，还提到 VREFCA 要看 MR12、VREFDQ 要看 MR14、preamble 类型由 MR1 决定这些必须核对寄存器的细节，不只是给几张标准截图。它适合正在调试移动端或嵌入式内存链路的硬件、SI 和测试工程师。我刚接手 DDR 信号处理时也走过弯路：上来就抓 tDQSCK，抓了一下午才发现单端判决门限用错了值，前面所有波形白测。这篇文章按我实际的测量顺序讲：先搭好测量环境，再测 CK，再测 DQS 与读写时序，最后说踩过的坑和怎么把结果整理成能复算的表。

2. 测量底座：差分探头、采样率与去嵌的三项硬指标

LPDDR4 的 CK 和 DQS 都是差分对，边沿在几十到一百多皮秒量级。测量链路里任何一处没调好，后面所有判定表都失去意义。我遇到最多的问题是探头带宽不够、地线太长、去嵌文件挂错通道，结果斜率测出来比实际小两成，本来余量充足的板子被判不合格。这一章把探头、采集、去嵌、触发四件事拆开，每件给可执行的设置和自检办法。

2.1 探头带宽与负载电容：别让探头变成被测网络的一部分

探头带宽要按信号拐点频率选，不是按时钟频率选。经验公式是 f_knee ≈ 0.5 / t_r，上升时间 100 ps 对应 5 GHz 拐点，探头带宽至少要覆盖它的 1.5 到 2 倍，也就是 8 GHz 起步。LPDDR4 常见速率档从 1600 到 4266 MT/s，对应 CK 频率 800 到 2133 MHz；在 4266 档上，边沿更陡，拐点频率更高。如果探头带宽不够，看到的边沿会被拉圆，差分斜率偏小，原本合格的波形会被判成不合格，这属于测量引入的误判，后面排查会持续困扰你。

负载电容同样关键。探头尖端电容在 0.2 到 0.5 pF 之间比较理想，超过 1 pF 就要评估影响：电容挂在 DQ 或 DQS 的某一点上，会额外拉慢局部边沿，还会改变差分对的对称性，直接体现在交叉点偏移上。能用焊接式探头就别用手持式，手持探头的接地回路长度难以控制，几厘米的地线夹带来的电感在 GHz 频段足以让波形出现虚假振铃。地弹簧长度尽量控制在 3 mm 以内，地线越短越好。

注意：差分探头两条腿之间的偏斜要先校准再使用。偏斜不校准时，差分波形上看起来的交叉点偏移可能有一半来自探头本身。

2.2 采样率与时基：先算 tCK，再定采集档位

采样率按带宽的 5 倍以上配置，8 GHz 带宽对应 40 GSa/s 以上。但采样率够不够只是一半，还要看一次采集窗口内能不能覆盖你需要的周期数。时钟指标 tCK(avg)、tCH(avg)、tCL(avg) 按标准要统计大量周期，实际做法是用示波器一次采一长段，让软件在里面数周期。按 4000 点以上的边沿分辨率倒推：若采样率 80 GSa/s、采集窗 50 ns，记录长度约 4000 点，窗口内只有 80 个 625 ps 的周期，够看趋势但不够做标准要求的统计；需要更长的记录长度或分段采集。

时基设置还有个容易忽略的点：采集窗口要覆盖完整的读或写 burst，包括 preamble 之前和 postamble 之后。LPDDR4 的 tRPRE 固定为 2 tCK，tRPST 由 MR1 第 7 位决定是 0.5 tCK 还是 1.5 tCK；如果窗口刚好卡在 burst 边界上，后导的测量就会被截断，看起来像是不满足。我通常会在触发位置前留至少 3 个 tCK 的预触发，后留 5 个 tCK，一次抓全。

2.3 去嵌与校准：把夹具和探头的影响扣掉

测量点在内存颗粒焊球或测试点上时，从探头尖端到焊球之间的走线、过孔、插座构成一段无源网络，会带来损耗和时延。去嵌就是用这段网络的 S 参数把影响从波形里算回去。常见做法是先用 2x thru 或 1x reflect 标准件提取夹具 S 参数，再在示波器软件里加载去嵌文件；没有标准件时，至少做时延补偿，把传播时延从时间轴上减掉。

去嵌能修正的是线性无源网络的衰减和相移，修不了探头负载带来的边沿变慢。这一点要分清楚：探头电容并联在测试点上，属于改变了被测网络本身，不能靠后处理还原。所以去嵌之前先保证探头负载足够小，顺序不能反。

校准环节至少要过三遍：示波器通道的垂直与时间基准校准、差分探头的偏斜与共模抑制校准、夹具去嵌文件的通道匹配检查。第三项最容易出错：去嵌文件是按通道存的，S 参数文件挂到了错误的通道上，测出来的 tDQSQ 会整体偏移一个固定值，而且每个通道偏的量还不一样，看起来特别像板子的问题。

2.4 触发与采集窗口：单次读、单次写怎么抓

测量读时序和写时序要用不同的触发策略。读操作时，DQS 由内存颗粒发出，和 CK 之间有固定的访问时间关系，适合用 CK 或读命令做触发，采集窗覆盖整个 burst；写操作时，DQS 由控制器发出，和 DQ 的相位关系才是测量重点，适合用写命令或 DQS 本身做触发。具体步骤：

1. 确认当前测试项属于读方向还是写方向，选对应触发源，不要用 DQS 触发去测 tDQSCK。
2. 把触发电平设在差分信号的中间位置，触发沿选上升沿，避免在 preamble 的固定电平段误触发。
3. 打开协议解码或命令触发，把触发点锁定到单次读或单次写，避免连续 burst 混在一起。
4. 预触发留 3 个 tCK，后触发留 5 个 tCK，确保 preamble 和 postamble 都在窗口内。
5. 同一个测试项至少连抓 100 次，取最差值写进报告，不要用第一次抓到的漂亮波形交差。
6. 每换一个通道就重新确认触发点，LDQS 和 UDQS 是两组独立信号，触发设置不能直接复用。

采集次数这件事值得多说一句。LPDDR4 的读时序受训练结果、温度和刷新周期影响，同一块板子连抓 100 次，tDQSCK 的抖动可能有几十皮秒。只抓一次就下结论，等于放弃了最差值，等到量产阶段出问题再回头查，成本会高很多。

3. CK 时钟信号实测：差分电压、斜率、单端与交叉点四步走

CK 是整条链路的参考，CK 判错了，后面所有时序的参考点都跟着错。这一章按测试指导里的顺序走：先差分电压，再差分斜率，再单端电压，最后单端交叉点。每一步都要落到具体取点位置和判决门限上，否则测出来的数字没法复现。

3.1 CK 差分输入电压与判定标准

差分输入电压测的是 CK_t 与 CK_c 的差值波形，判定分 DC 和 AC 两个层次。DC 门限看稳态区间的差分幅值，AC 门限看边沿附近的差分峰值，两者在标准里是分开列的。测量时把差分探头跨接在 CK_t 和 CK_c 上，示波器 Math 通道做差，然后分别在稳态平台段和边沿过冲段读取幅值。

取点位置有讲究。DC 判定要在时钟稳定翻转的平台上取，避开每次翻转后的振铃区；AC 判定要取边沿附近的最大差分值，通常出现在过冲或第一个峰值处。如果只取一个综合值，很容易出现 DC 合格、AC 不合格，或者反过来，报告里说不清楚。

门限值不要凭记忆填，按你所用器件的速率档在 JESD209-4B 对应表格里查。不同速率档的门限不一样，拿 3200 档的门限去判 4266 的板子，结论没有意义。

3.2 差分输入斜率与高低电平判决门限

差分斜率定义为差分电压在两个判决门限之间变化的速率，单位 V/ns。标准里给的是固定电压门限，示波器测量软件里也可以按差分幅值的百分比设，常见做法是 20% 到 80% 区间。两种设法的差别在门限附近不大，但报告里必须写清楚用的是哪一种，否则不同人复测会对不上。

高低电平判决门限的作用是给斜率计算划定区间。取点逻辑是：先找到差分波形向上穿过低门限和高门限的相邻采样点，再在两点之间做线性插值得到精确时间，最后用电压差除以时间差。下面这段脚本是我平时用来复算示波器结果的，把导出的 CSV 丢进去就能得到每个边沿的斜率：

import numpy as np def diff_slew(t, vp, vn, vth_low, vth_high): """计算差分信号上升沿斜率 t: 时间序列(s) vp/vn: CK_t / CK_c 单端电压序列(V) vth_low/vth_high: 判决门限(V)，按速率档查表 """ vdiff = vp - vn # 找上升沿穿越低门限的位置 idx_low = np.where((vdiff[:-1] < vth_low) & (vdiff[1:] >= vth_low))[0] results = [] for i in idx_low: # 在低门限之后找第一次穿越高门限 j = np.where(vdiff[i:] >= vth_high)[0] if len(j) == 0: continue j = i + j[0] if j == 0: continue # 线性插值得到两个精确穿越时刻 t1 = t[i] + (vth_low - vdiff[i]) / (vdiff[i + 1] - vdiff[i]) * (t[i + 1] - t[i]) t2 = t[j - 1] + (vth_high - vdiff[j - 1]) / (vdiff[j] - vdiff[j - 1]) * (t[j] - t[j - 1]) if t2 > t1: results.append((vth_high - vth_low) / (t2 - t1) / 1e9) # V/ns return np.array(results)

脚本里 vth_low 和 vth_high 就是第三节说的高低电平判决门限，必须按当前速率档填，不能沿用上一块板子的值。返回数组里每个元素对应一个上升沿的斜率，取最小值与标准门限比较。实际使用时还要对下降沿做同样处理，正负斜率分别判定。如果测出来的斜率普遍比仿真值低两成以上，先回头查探头带宽和地线，不要急着改板。

3.3 CK 单端输入电压与 VREFCA 的 MR12 取值

单端测量是把 CK_t 和 CK_c 分开看，用单端探头分别测两条线的电压摆幅。这里最容易犯的错误是拿 VDDQ 的一半当判决门限。LPDDR4 的 VREFCA 是上电经过 VREFCA Training 后由内部自动调整得到的，实际值要去读寄存器 MR12，不能默认等于电源中点。训练结果会随器件、温度、电源波动变化，同一块板子换一颗颗粒，MR12 的值可能就变了。

操作步骤是：先完成上电初始化和 VREFCA Training，再读 MR12 拿到当前 VREFCA，把这个值填进示波器的单端判决门限，然后分别对 CK_t、CK_c 做高电平、低电平、峰峰值的判定。如果跳过训练直接测，判出来的单端电压可能整体偏移几十毫伏，本来合格的边沿被判成不满足。

注意：MR12 的值要在训练完成后再读，上电复位后的默认值不代表实际工作点。每次换颗粒或改电源方案，都要重新读一次。

3.4 单端交叉点：定义与判定标准

单端交叉点指的是 CK_t 上升沿和 CK_c 下降沿相交的位置，判定的是这个交点电压相对 VREFCA 的偏移量。理想情况下交点应该落在 VREFCA 附近，偏移过大意味着差分对的对称性被破坏，占空比失真会跟着变大，接收端的有效建立保持窗口被压缩。

测量时需要两个单端探头同时接 CK_t 和 CK_c，或者用一台支持双通道同时采样的示波器，把两条单端波形叠加后找交点。不能先用差分探头测完再拆开算，差分探头已经把共模信息丢掉了，交叉点偏移恰恰是共模层面的问题。找到交点后，读出交点电压，减去 MR12 里的 VREFCA，得到偏移量，再和标准门限比较。

交叉点偏移还和占空比有关。交叉点整体上移或下移时，高电平时间和低电平时间会不对称，tCH(avg) 和 tCL(avg) 的差值随之变大。所以测完交叉点，顺手看一眼占空比，能帮助判断问题是出在驱动端还是传输线不对称。这也是很多人说交叉点测量有点玄学的原因：单看一个交点电压说明不了太多，要结合占空比和差分斜率一起看。

4. DQS 与读写时序：从 tDQSCK 到 tDQS2DQ 的一条测量链

DQS 是数据选通信号，读方向由颗粒发出，写方向由控制器发出，两个方向的测量方法完全不同。这一章按读时序、写时序、时钟指标三块展开，每个参数给取点方式和容易混淆的边界。LPDDR4 每个 Channel 要分别测 LDQS（低 8 位）和 UDQS（高 8 位），两组不能互相替代。

4.1 DQS 差分/单端指标与 VREFDQ 的 MR14 取值

DQS 的差分电压、差分斜率、单端电压、交叉点四项，测量逻辑和 CK 完全一样，区别在判决门限的来源。VREFDQ 是上电经过 VREFDQ Training 后内部调整得到的，要去读寄存器 MR14，不能套用 CK 的 VREFCA。我见过直接复制 CK 测试模板去测 DQS 的，门限没改，整组 DQS 单端判定全部偏离，排查了半天才发现是寄存器读错了。

DQS 是双向信号，读的时候颗粒驱动，写的时候控制器驱动，同一根线上的单端电压在读写两个方向的波形不一样。测单端电压要区分方向，读方向的波形在颗粒端测，写方向的波形在控制器端测，测试点不同，结论不能混用。

4.2 tDQSCK 与 preamble 类型的关系

tDQSCK 描述 DQS 输出访问时间，也就是 DQS 上升沿相对 CK_t、CK_c 的位置关系。这个参数的测量方式取决于 preamble 类型，而 preamble 类型由 MR1 第 3 位设置，默认是 Static。Static 类型下，preamble 期间 DQS 保持固定电平，第一个有效上升沿出现在 preamble 结束之后；Toggling 类型下，preamble 期间 DQS 已经开始翻转，取点要落在第一个翻转沿上。

两种类型的取点差半个到一个 UI，如果寄存器读的是 Static、测量却按 Toggling 取点，tDQSCK 会整组偏一个固定量，看起来像时序余量不足，实际上是取点错了。测量前先读 MR1 第 3 位确认类型，再选对应的测量模板，这一步不能省。

具体做法是：以读命令对应的 CK 边沿为时间参考零点，Static 类型下找到 preamble 结束后的第一个 DQS 上升沿，Toggling 类型下找到 preamble 区间内的第一个翻转沿，两者相减得到 tDQSCK。同一个 burst 内多取几个沿做平均，减少抖动影响。

4.3 tDQSQ、tQH 与 tQSL/tQSH 的取点

tDQSQ 描述同一 group 内 DQS 到 DQ 的总偏移，取的是 DQ 引脚上最后一次有效传输的末端位置。测量时把 LDQS 和它对应的 8 根 DQ 一起抓，找到每根 DQ 最后一个有效数据的跳变点，算它相对 DQS 边沿的偏移，取绝对值最大的那个。注意是 per group、per access，低 8 位和高 8 位要分开测，不能把 16 根 DQ 混在一起算。

tQH 描述 DQ 输出保持时间，取的是 DQ 引脚上最早出现的一个无效数据的时间点，相对 DQS 边沿计算。它和 tDQSQ 的区别是：tDQSQ 看的是有效数据结束的位置，tQH 看的是无效数据开始的位置，两者在波形上紧挨着，取点容易混。我的习惯是先标出有效数据窗口，窗口右边界对应 tDQSQ，窗口右侧第一个跳变沿对应 tQH，标完再读数。

tQSL 和 tQSHT 分别描述 DQS 差分输出的低电平时间和高电平时间，本质是 DQS 的占空比测量。取点时以差分波形的交叉点为边界，分别统计低电平段和高电平段的持续时间。这两个参数对 DBI 设置敏感，测试指导里明确标注了 DBI Disabled 条件，如果板上开了 DBI，测量前要先确认当前配置，否则统计出来的高低时间对不上。

4.4 tRPRE 与 tRPST：MR1 两个位决定测量方式

tRPRE 是读前导，时长固定为 2 tCK，不随寄存器变化，但测量方式随 preamble 类型变。Static 类型下，前导是一段保持固定电平的 2 tCK 窗口，测量时直接量这段窗口的宽度；Toggling 类型下，前导区间内 DQS 已经在翻转，测量的是这段翻转区间的总宽度。两种类型的波形形状差别很大，看波形第一眼就该能分辨出来。

tRPST 是读后导，时长由 MR1 第 7 位决定：该位为 0 时后导是 0.5 tCK，为 1 时是 1.5 tCK。测量前先读这一位，再按对应时长去波形上找后导窗口。这一步出错的表现很有特点：测出来的后导要么正好是标准值的一半，要么多出一个 tCK，而且所有通道错得一模一样，一看就是配置问题而不是信号问题。

注意：MR1 的这两个位在读命令前后可能被控制器改写，测量时最好在抓波形的同一时刻读寄存器，不要用几分钟前读到的值。

4.5 写时序：tDQS2DQ、tDQSS、tDSS/tDSH 与 tWPRE/tWPST

写方向的参数里，tDQS2DQ 是重点，它描述 DQS 上升沿与 DQ 中心位置的关系。测量方法是在写 burst 内找到 DQS 的上升沿，再找对应 DQ 数据的中心点，两者相减。这里要注意 DQ 中心点的定义：不是数据跳变沿，而是数据眼图的中心，取法是在 DQ 的建立窗口和保持窗口之间取中点。如果误把跳变沿当中心点，算出来的偏移会差半个 UI，结论完全反过来。

tDQSS 描述写命令到第一个 DQS 翻转之间的时间，参考点是写命令对应的 CK 边沿，终点是 DQS 的第一个翻转沿。这个参数反映的是控制器发出 DQS 的及时性，和 tDQSCK 是读写两个方向的对称参数，不要混着看。

tDSS 和 tDSH 分别是 DQS 相对 CK 的建立时间和保持时间，测的是两个信号之间的相位关系。取点时以 CK 的交叉点为参考，量 DQS 翻转沿到 CK 交叉点的距离，落在前面的是建立，落在后面的是保持。这两项对 PCB 走线等长最敏感，如果发现某一组 DQS 的建立余量明显小于其他组，先查这一组的走线长度，不要先怀疑颗粒。

tWPRE 和 tWPST 是写前导和写后导，测量逻辑和读方向的前后导类似，但参考信号换成了写命令。写前导的时长由控制器配置决定，不同控制器的默认值不一样，测量前要查控制器手册里当前配置，不能照搬读方向的 2 tCK。

4.6 tCK(avg)、tCH(avg)、tCL(avg) 的统计口径

时钟指标是三个平均值：tCK(avg) 是平均时钟周期，tCH(avg) 是平均高脉冲宽度，tCL(avg) 是平均低脉冲宽度。JESD209-4B 的定义要求统计大量周期，实际测量时很难一次凑够那么多周期，而且手工计算工作量大。可行做法是用示波器一次采集足够长的窗口，让软件统计窗口内所有周期的平均值，再和标准门限比较。

这里有个一致性检查很实用：tCH(avg) 加 tCL(avg) 应该等于 tCK(avg)，归一化之后两者之和为 1。如果测出来之和明显偏离 1，说明取点门限设错了，或者交叉点偏移太大导致高低电平划分不对称。我一般把这三个值放在同一张表里，先看和是否闭合，再看单项是否超差，能快速区分是测量问题还是信号问题。

从数字信号处理的角度看，这三个指标本质是对时钟波形做时间轴上的统计，采样率不够或者插值算法不同，算出来的平均值会有差异。所以报告里要写明采样率和统计窗口长度，方便别人复算。至于把每个参数当成一个单元测试用例来跑，是我后来养成的习惯：每个参数单独一条记录、单独一个判定结果，出问题时能定位到具体哪一项，而不是一锅粥。

5. 常见问题排查：五条把测试台拉回正轨的记录

这一章的五条都是真实踩过的，现象描述尽量具体，方便你对号入座。每条按现象、原因、解决三段写，顺序就是我排查时的顺序。

5.1 单端判定整组不过：VREF 用了电源中点

现象：CK 和 DQS 的差分项全部合格，单端电压判定整组超差，而且偏移方向一致，都是偏高或偏低几十毫伏。

原因：判决门限直接填了 VDDQ 的一半，没有读 MR12 和 MR14。VREFCA 和 VREFDQ 是训练后由内部调整得到的，和电源中点有偏差，拿中点当门限，等于用一个错基准去判所有单端项。

解决：先完成 VREFCA Training 和 VREFDQ Training，分别读 MR12、MR14 拿到实际值，填进示波器门限，重新判定。改完之后如果还有个别通道超差，再去看是不是探头接地或测试点的问题。

5.2 tDQSCK 整组偏一个 UI：preamble 类型没对齐

现象：读时序里 tDQSCK 的测量值稳定地偏大或偏小一个固定量，重复性很好，不像随机抖动。

原因：MR1 第 3 位实际是 Static，测量模板却按 Toggling 取点，或者反过来。两种类型的取点位置差半个到一个 UI，取错之后整组数据平移。

解决：抓波形的同一时刻读一次 MR1 第 3 位，确认类型，换对应模板重测。顺手把这一位写进测试记录，避免下次换人测又搞错。

5.3 差分斜率普遍偏小：采样率或带宽不够

现象：所有通道的差分斜率都比仿真值低两成左右，边沿看起来偏圆，但电压幅值正常。

原因：探头带宽不足或采样率太低。带宽不够会把高频分量滤掉，边沿变慢；采样率不够会在插值时把斜率算小。两种情况的表现很像，需要分开验证。

解决：先换高带宽探头复测同一块板子，如果斜率回到正常范围，就是探头问题；如果没变，把采样率提高一档再测。两步都做完还是偏小，才去怀疑板子本身。

5.4 tDQSQ 每通道偏移量不同：去嵌文件挂错通道

现象：tDQSQ 超差，但每个通道偏的量不一样，偏移方向也没有规律，换一块同型号板子现象类似。

原因：去嵌的 S 参数文件按通道存储，加载时挂到了错误的通道上。每个通道的夹具特性不同，挂错之后补偿量不对，偏移就变成通道相关。

解决：逐通道核对去嵌文件与物理通道的对应关系，重新加载后复测。建议在测试记录里写明每个通道用的去嵌文件名，方便追溯。

5.5 tRPST 差一个 tCK：MR1 第 7 位读错

现象：读后导测出来要么是 0.5 tCK，要么是 1.5 tCK，和预期总差一档，所有通道一致。

原因：MR1 第 7 位是 0 还是 1 没确认，或者读的是训练前的旧值。这一位决定后导时长，读错就按错误时长去量窗口。

解决：在抓波形的同一时刻读 MR1，确认第 7 位，按对应时长重新框定后导窗口。如果控制器会在运行中改写这一位，就在测试脚本里固定配置后再测。

6. 把结果整理成能复算的表：批量统计与回归验证的一个小脚本

单个 burst 测完只是开始，真正有价值的是把几十次采集的结果统计成一张能对比的表。我的做法是把示波器导出的 CSV 批量喂给一个脚本，输出每个参数的均值、最大值、最小值，再和门限比较，生成一张回归表。这样下次改板或换颗粒，跑一遍就能看出哪一项退化了。

import csv, glob import numpy as np def load_wave(path): """读取示波器导出的两列 CSV：时间(s), 差分电压(V)""" t, v = [], [] with open(path) as f: for row in csv.reader(f): if len(row) < 2: continue try: t.append(float(row[0])); v.append(float(row[1])) except ValueError: continue # 跳过表头 return np.array(t), np.array(v) def cycle_stats(t, v, vth): """以 vth 为判决门限统计周期、高电平时间、低电平时间""" cross = np.where((v[:-1] < vth) & (v[1:] >= vth))[0] # 上升沿穿越点 if len(cross) < 3: return None t_cross = t[cross] periods = np.diff(t_cross) # 相邻上升沿间隔即周期 return periods.mean(), periods.max(), periods.min() rows = [] for path in sorted(glob.glob("waveforms/*.csv")): t, v = load_wave(path) stat = cycle_stats(t, v, vth=0.0) # 差分波形门限按实际填 if stat: rows.append([path.split("/")[-1], *stat]) with open("summary.csv", "w", newline="") as f: w = csv.writer(f) w.writerow(["file", "tCK_avg", "tCK_max", "tCK_min"]) w.writerows(rows)

这段脚本只做周期统计，门限 vth 要按差分波形的实际判决点填，不能固定写 0。输出的 summary.csv 可以直接贴进测试报告，配合下面这张回归表看趋势：

高低和闭合这一列是我后来加的后悔药。早期只盯单项，有一次 tCH 和 tCL 同时超差，查了半天信号，最后发现是判决门限设错，两个值一起偏，和反而不闭合。从那以后我每次跑批量统计都强制先看这一列，闭合了再往下看单项。希望帮到你。

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