Z-Image标准版开源：打造可塑性的全能图像生成基座
2026/10/22 2:48:27
内容总结
国巨 CC0603KRX7R9BB104（0603 / X7R / 50V / 100nF / ±10%）规格书 4-16 页解读：容值范围、容差、D.F.、I.R.、温度特性、焊接建议。
规格书4-10页内容是该系列X7R贴片多层陶瓷电容不同封装尺寸对应的容值范围与额定电压关系如下：
0201封装容值范围：100pF~100nF，额定电压范围：6.3V~50V。 具体对应关系：全电压段（6.3V、10V、16V、25V、50V）均可支持100pF~68nF；仅6.3V、10V可支持100nF，16V及以上额定电压不支持该容值。
0402封装容值范围：100pF~2.2µF，额定电压范围：6.3V~100V。 具体对应关系：全电压段（6.3V~100V）均可支持100pF~100nF；容值更高的220nF~1µF可支持6.3V~50V，仅2.2µF对应该封装特定厚度规格。
0603封装容值范围：100pF~4.7µF，额定电压范围：6.3V~250V。 具体对应关系：6.3V~50V可支持100pF~2.2µF，最高可支持4.7µF；100V~250V可支持100pF~100nF。
0805封装容值范围：100pF~10µF，额定电压范围：6.3V~250V。 具体对应关系：6.3V~50V可支持100pF~4.7µF，最高可支持10µF；100V~250V可支持100pF~100nF。
1206封装容值范围：220pF~22µF，额定电压范围：6.3V~250V。 具体对应关系：6.3V~50V可支持220pF~10µF，最高可支持22µF；100V~250V可支持220pF~100nF。
1210封装容值范围：2.2nF~47µF，额定电压范围：6.3V~250V。 具体对应关系：6.3V~50V可支持2.2nF~22µF，最高可支持47µF；100V~250V可支持2.2nF~1µF。
1812封装容值范围：4.7nF~1µF，额定电压范围：50V~250V。 具体对应关系：50V可支持4.7nF~1µF；100V~250V可支持4.7nF~330nF。
2220封装仅支持50V额定电压，容值范围最大到470nF。
11页内容
下面是编带规格，手动数料是可以直接测量长度可以得出元件数量
物料盘的尺寸：
14页： 电气特性：
X7R 介电电容器；镍锡端电极（NiSn 端接）
除非另有规定，所有测试和测量均应在标准大气条件下进行，测试条件按 IEC 60068-1 第 5.3 条的规定：
- 温度：15℃ 至 35℃
- 相对湿度：25% 至 75%
- 气压：86 kPa 至 106 kPa
在进行测量之前，电容器应在测量温度下存放足够长的时间，以使整个电容器达到该温度。
测试结束时规定的恢复时间通常足以达到这一目的。
参数速查
描述 | 数值 |
容值范围 | 100 pF 至 47 µF |
容值容差 | ±5%, ±10%, ±20% |
施加额定电压（DC）1 分钟后的绝缘电阻 | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500/100/50* 秒（取两者中较小值） |
电容随温度变化的最大变化量（温度特性/温度系数） | ±15% |
工作温度范围 | –55 °C 至 +125 °C |
耗散因数（D.F.）— X7R
电压/条件 | 容值范围（对应封装） | 耗散因数（D.F.） |
≤ 6.3V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µF | ≤ 5% |
≤ 6.3V | 270nF 至 1µF | ≤ 7% |
≤ 6.3V | 15nF 至 100nF / 220nF 至 470nF / 2.2µF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 47µF | ≤ 10% |
≤ 6.3V | 1µF | ≤ 12.5% |
10V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µF | ≤ 5% |
10V | 270nF 至 1µF | ≤ 7% |
10V | 100nF / 220nF 至 470nF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 47µF | ≤ 10% |
10V | 1µF | ≤ 12.5% |
16V | 100pF 至 1.2nF / 100pF 至 22nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 470nF / 220pF 至 1µF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF | ≤ 3.5% |
16V | 1.5nF 至 10nF / 27nF 至 100nF / 680nF 至 2.2µF / 2.2µF / 2.2µF | ≤ 5% |
16V | 270nF 至 1µF | ≤ 7% |
16V | 220nF / 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 22µF | ≤ 10% |
25V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 39nF / 100pF 至 180nF / 220pF 至 180nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF | ≤ 2.5% |
25V | 100pF 至 470pF / 12nF 至 47nF / 47nF 至 220nF / 220nF 至 470nF / 220nF 至 1µF | ≤ 3.5% |
25V | 560pF 至 10nF / 56nF 至 100nF / 560nF 至 2.2µF / 2.2µF / 2.2µF | ≤ 5% |
25V | 270nF 至 1µF | ≤ 7% |
25V | 120nF 至 220nF / 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF | ≤ 10% |
50V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 39nF / 100pF 至 180nF / 220pF 至 180nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF / 470nF 至 1µF | ≤ 2.5% |
50V | 100pF 至 470pF / 12nF 至 33nF / 47nF 至 220nF / 220nF 至 470nF / 220nF 至 1µF | ≤ 3.5% |
50V | 560pF 至 1nF / 560nF 至 680nF | ≤ 5% |
50V | 47nF 至 82nF | ≤ 7% |
50V | 100nF / 470nF 至 1µF / 1µF 至 2.2µF / 2.2µF 至 4.7µF / 2.2µF 至 10µF | ≤ 10% |
100V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 10nF / 100pF 至 470nF / 220pF 至 470nF / 2.2nF 至 680nF / 6.8nF 至 1µF / 560nF 至 820nF | ≤ 2.5% |
100V | 1µF / 1µF 至 2.2µF | ≤ 3.5% |
100V | 12nF 至 100nF / 560nF 至 1µF / 1µF 至 2.2µF | ≤ 5% |
100V | 4.7µF | ≤ 10% |
200/250V | 220pF 至 22nF / 100pF 至 100nF / 220pF 至 220nF / 2.2nF 至 220nF / 6.8nF 至 470nF | ≤ 2.5% |
这部分总结了之前的表格并且引入了一个新的名词Dissipation Factor
引用文库笔记
请解释电容器DF值（Dissipation Factor）的物理意义，并给出其计算公式。
⚡️电容器DF值是什么？一文讲透！⚡️
🌟物理意义超简单：DF值（Dissipation Factor）就是电容器的“损耗指数”，衡量它有多“费电”。想象一下，理想电容器是完美储能罐，但现实总有损耗，DF值就是用来看偏离理想状态有多远的！数值越低，发热越少，性能越棒💪
📌计算公式也不难：
D.F. = tanδ = ESR / Xc = (2πfC) × ESR
其中ESR是等效串联电阻，Xc是容抗，f是频率，C是电容值。对于电解电容，常在120Hz下测量，公式简化为：DF = ESR × 2πfC
🔍关键点：DF就是损耗能量与储存能量的比值，直接反映有功功率和无功功率的比例。记住，它受温度、频率、容量和耐压等级影响，所以选型时一定要留个心眼！
💡一句话总结：DF值越小，电容越“省电”越靠谱！搞懂它，选电容不踩坑~
引用：https://zhuanlan.zhihu.com/p/709055211
电容器的损耗（DF）值在直流电路中的作用和影响
电容器的损耗（DF）值（Dissipation Factor，也称为损耗因数）是衡量电容器在交流电路中能量损耗的一个参数。尽管DF值主要用于交流电路的分析，但它在直流电路中也有一定的作用和影响，尤其是在涉及电容器充放电过程或含有开关元件的直流电路中。以下是DF值在直流电路中的作用和影响：
- 充放电效率：在直流电路中，电容器需要周期性地充放电。DF值较高的电容器在充放电过程中会有较大的能量损耗，影响电路的效率。
- 热效应：由于能量损耗，电容器在充放电时会产生热量。DF值较高的电容器在相同条件下会产生更多的热量，可能导致电容器或周围组件的温度升高。
- 寿命影响：电容器的损耗会导致额外的热量产生，长期累积可能影响电容器的寿命和可靠性。
- 纹波电流：在电源电路中，电容器需要过滤输入的纹波电流。DF值较高的电容器可能无法有效过滤纹波，导致输出电压不稳定。
- 自谐振频率：所有电容器都有一定的自谐振频率。在直流电路中，如果电容器的充放电频率接近其自谐振频率，DF值的影响会更加显著。
- 瞬态响应：在含有快速切换或瞬态负载变化的直流电路中，DF值会影响电容器对瞬态变化的响应速度。
- 噪声和电磁干扰：DF值较高的电容器可能在充放电过程中产生更多的电磁干扰，影响电路的信号完整性。
- 能量存储：在需要能量存储和快速释放的应用中，如脉冲负载，DF值较低的电容器更为理想，因为它们的能量损耗较小。
- 稳定性：在某些直流电路中，电容器的DF值可能影响电路的稳定性。例如，在反馈回路中，电容器的损耗可能会引入额外的相位偏移。
- 长期稳定性：在长时间运行的直流电路中，DF值较高的电容器可能会因为持续的热损耗而导致性能逐渐下降。
尽管DF值主要用于描述电容器在交流电路中的特性，但在设计直流电路时，也应考虑电容器的DF值，以确保电路的性能、效率和可靠性。选择DF值较低的电容器通常有助于减少能量损耗和热效应，提高电路的整体性能。
MLCC X7R 规格补充
绝缘电阻（I.R.）— X7R
电压 | 容值范围（对应封装 0201→2220） | I.R. |
≤ 6.3V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
≤ 6.3V | 15nF 至 100nF / 560nF 至 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 47µF / 10µF 至 47µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
≤ 6.3V | 220nF 至 1µF / 4.7µF | Rins × Cr ≥ 50Ω.F |
10V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
10V | 100nF / 560nF 至 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 47µF / 10µF 至 47µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
10V | 220nF 至 1µF | Rins × Cr ≥ 50Ω.F |
16V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
16V | 560nF 至 1µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 10µF 至 22µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
16V | 220nF / 2.2µF | Rins × Cr ≥ 50Ω.F |
25V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
25V | 270nF 至 1µF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 10µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
25V | 220nF | Rins × Cr ≥ 50Ω.F |
50V | 100pF 至 1nF / 100pF 至 82nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 100nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 330nF / 470nF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
50V | 100nF / 270nF 至 1µF / 2.2µF / 120nF 至 4.7µF / 2.2µF 至 10µF / 470nF 至 1µF / 1µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
100V | 100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 100nF / 2.2nF 至 56nF / 6.8nF 至 330nF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
100V | 120nF 至 2.2µF / 68nF 至 4.7µF / 470nF 至 1µF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
200/250V | 220pF 至 22nF / 100pF 至 100nF / 220pF 至 22nF / 2.2nF 至 33nF / 6.8nF 至 120nF | Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F |
200/250V | 27nF 至 220nF / 39nF 至 220nF / 150nF 至 470nF | Rins × Cr ≥ 100Ω.F |
焊接建议
焊接方式 | ≤ 0402 | 0603 | 0805 | 1206 | ≥ 1210 |
回流焊 | 仅回流焊 | > 1.0 µF | > 2.2 µF | > 4.7 µF | 仅回流焊 |
回流焊/波峰焊 | ≤ 1.0 µF | ≤ 2.2 µF | ≤ 4.7 µF | --- |
回流焊与波峰焊
两种软钎焊工艺，区别在焊料形态和给料方式。
回流焊（Reflow）
焊料是焊膏。焊膏经钢网印刷或点涂到焊盘，贴片元件贴装后整板过回流炉，焊膏受热熔化、润湿焊盘，冷却后成焊点。热量从整板传入。主要焊贴片（SMD）元件。峰值温度：无铅 235℃~250℃，有铅 210℃~230℃。【链接：焊膏】
波峰焊（Wave）
焊料是熔融液态锡。插件（THT）元件先插装，板子经助焊剂、预热后从锡炉泵起的锡波上划过，锡波接触焊盘完成焊接。热量集中在接触面。主要焊插件元件，也用于贴片元件的二次补焊。锡炉温度：250℃~265℃。【链接：助焊剂】
区别对照
维度 | 回流焊 | 波峰焊 |
焊料形态 | 焊膏 | 熔融液态锡 |
给料方式 | 钢网印刷 / 点涂 | 锡炉泵起锡波 |
受热方式 | 整板加热 | 局部接触 |
适配元件 | 贴片 SMD | 插件 THT |
典型流程 | 印膏 → 贴片 → 回流炉 → 冷却 | 插装 → 助焊剂 → 预热 → 过锡波 → 冷却 |
温度 | 峰值 235℃~250℃（无铅） | 锡炉 250℃~265℃ |
焊点形成 | 焊膏熔化润湿 | 锡波浸润 |