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EG2226 600V 全桥栅极驱动芯片|屹晶 EGmicro
2026/9/30 6:07:08 网站建设 项目流程

一、产品整体概述

EG2226 是双通道半桥(全桥)栅极驱动芯片,SSOP‑16 封装,无内置功率管,外接 4 颗 N‑MOS/IGBT 组成全桥电路;两路半桥独立,每一路高端悬浮耐压600V;VCC 供电10‑20V,典型 15V;图腾柱输出拉 0.6A、灌 1.0A;两路通道均为 HIN、LIN 双双高电平有效;每通道内置桥臂互锁闭锁;HIN1/HIN2、LIN1/LIN2 全部内置 250kΩ 下拉,输入悬空输出关闭;最高开关频率 500kHz;适用于逆变电源、变频水泵、电动车控制器、无刷电机驱动器。

版本对比:相当于两颗带互锁、VCC+VB 双欠压的 600V 半桥驱动集成在一颗 SSOP‑16;单通道驱动电流 0.6A/1.0A,相比 EG21814 驱动能力更小,但自带硬件互锁,实现全桥驱动。

二、五大核心差异化硬件优势

‑600V 双半桥(全桥)自举悬浮驱动芯片集成两路完全独立的半桥驱动,构成全桥;母线耐压最高 600V;需要两路独立的自举二极管 + 自举电容;逻辑输入阈值 2.5V,可直连 3.3V/5V MCU。

‑VCC + 两路 VB 独立欠压锁存保护VCC 开启 8.4V / 关断 7.9V;两路 VB 悬浮电源各自独立欠压,开启 7.8V / 关断 7.3V;任意一路欠压,对应通道驱动关断,防止 MOS 驱动电压不足导致器件过热损坏。

‑每通道独立硬件桥臂互锁闭锁每一路半桥内部互锁:当 HINx、LINx 同时为高 或者同时为低,HOx、LOx 全部强制关断,硬件防止同一桥臂上下管直通;输入引脚内置 250kΩ 下拉,引脚悬空输出关闭,避免上电 IO 浮空误导通。

‑图腾柱驱动,高速开关特性拉 0.6A,灌 1.0A;开通 / 关断延时典型 220ns/200ns,最高工作频率 500kHz。

‑SSOP‑16 紧凑型贴片封装单颗芯片实现全桥驱动,减少器件数量;外围仅 VCC 旁路、两组自举回路、栅极电阻。

三、内置功能与重要限制

✅内置功能

  1. 两路独立半桥电平位移,实现全桥驱动;两路都需要外接自举二极管;
  2. VCC、VB1、VB2 三路独立欠压锁存;
  3. 每通道独立桥臂互锁闭锁,避免单桥臂直通;
  4. HIN1/HIN2、LIN1/LIN2 内置 250kΩ 下拉,输入悬空输出关闭;
  5. 输入脉冲滤波,抑制尖峰干扰。

⚠️重要限制

  1. 仅栅极驱动,无内置 MOS,必须外接 4 颗 N‑MOS/IGBT;
  2. 互锁只保护各自内部半桥通道;对角管的全桥逻辑需要 MCU 软件实现;
  3. 无芯片内置过温、无硬件过流保护;MOS 故障依靠外部采样 + MCU 处理;
  4. 无 nFAULT 故障输出引脚,故障直接关断对应通道输出。

四、引脚功能定义(SSOP‑16)

表格

引脚号引脚名I/O功能简述
1HIN1I通道 1 高端输入,高电平有效;内置 250kΩ 下拉
2LIN1I通道 1 低端输入,高电平有效;内置 250kΩ 下拉
3HIN2I通道 2 高端输入,高电平有效;内置 250kΩ 下拉
4LIN2I通道 2 低端输入,高电平有效;内置 250kΩ 下拉
5VCCPower芯片供电 10‑20V;就近 0.1μF 高频旁路电容
6LO2O通道 2 低端 MOS 栅极驱动输出
7LO1O通道 1 低端 MOS 栅极驱动输出
8GNDGND芯片信号与功率地
9VS2O通道 2 高端悬浮参考点,半桥中点
10HO2O通道 2 高端 MOS 栅极驱动输出
11VB2Power通道 2 高端悬浮电源,接自举电容、自举二极管
14VS1O通道 1 高端悬浮参考点,半桥中点
15HO1O通道 1 高端 MOS 栅极驱动输出
16VB1Power通道 1 高端悬浮电源,接自举电容、自举二极管
12,13NC‑空脚,悬空

单通道逻辑真值表(通道 1 / 通道 2 逻辑完全一致) | HINx | LINx | HOx | LOx | 状态 | |---|---|---|---|---| | 0 | 0 | 0 | 0 | 全部关断 | | 0 | 1 | 0 | 1 | 仅下管导通 | | 1 | 0 | 1 | 0 | 仅上管导通 | | 1 | 1 | 0 | 0 |互锁保护全部关断,防止桥臂直通|

五、外围元器件标准化选型规范

  1. VCC 电源:VCC‑GND 放置 0.1μF 陶瓷旁路电容紧贴引脚。
  2. 两组自举回路:VB1‑VS1、VB2‑VS2 分别接自举电容;VB1、VB2 各外接耐压≥600V 快恢复自举二极管至 VCC;电容按 MOS 栅电荷 Qg、工作频率选型。
  3. 栅极电阻 Rg:HO1、HO2、LO1、LO2 输出串联栅极电阻,靠近 MOS 栅极,抑制栅极振荡振铃。
  4. 功率器件:外接 4 颗 N 沟道 MOS/IGBT 组成全桥拓扑,母线最高 600V。
  5. MCU 逻辑:3.3V/5V IO 直接驱动;芯片只管单桥臂互锁,全桥对角换相时序由 MCU 软件实现。

六、PCB 布线硬性规范

  1. VCC 的 0.1μF 去耦电容紧贴 VCC‑GND 引脚。
  2. 两路自举二极管、自举电容分别紧靠 VB1‑VS1、VB2‑VS2 引脚,缩短悬浮回路,减小寄生电感。
  3. HO、LO 栅极驱动走线尽量短;栅极电阻靠近 MOS 栅极,减小栅极环路,抑制高频振铃。
  4. VS1、VS2 为 600V 高压桥臂中点,走线远离 HIN1‑2、LIN1‑2 逻辑信号线,避免高压噪声耦合误触发。
  5. 功率大电流回路与芯片小信号逻辑回路分开布局;GND 单点汇合,降低地弹噪声。

七、主流应用场景

600V 以内全桥拓扑:逆变电源、变频水泵、电动车控制器、无刷直流电机驱动器。

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