1、描述
SiC47x系列是一款宽输入电压、高效率的同步降压稳压器,集成了高侧和低侧功率MOSFET。其功率级能够在高达2MHz的开关频率下提供大连续电流。该稳压器可在4.5V~55V的输入电压范围内,输出可调节的输出电压(低至0.8V),适用于计算、消费电子、电信及工业等多种应用场景。
SiC47x的架构可实现超快速瞬态响应,同时具备极小的输出电容和在极轻负载下的严格纹波调节能力。该器件无论采用何种类型的输出电容器(包括低ESR陶瓷电容器)均能确保环路稳定性。此外,该器件还集成了一套节能方案,可显著提升轻负载效率。该稳压器集成了完整的保护功能,包括过流保护(OCP)、输出过压保护(OVP)、短路保护(SCP)、输出欠压保护(UVP)及过温保(OTP)。它还配备了输入轨UVLO保护以及用户可编程的软启动功能。
SiC47x系列提供3A、5A、8A、12A电流规格,采用引脚兼容的5mm*5mm无铅电源增强型MLP55-27L封装。
图1 SiC47x典型应用电路图
图2 SiC472效率 vs 输出电流
2、管脚
图3 SiC47x管脚配置
| 管脚描述 | ||
| 管脚号 | 符号 | 描述 |
| 1 | VCIN | 内部稳压器VDD和VDRV的供电电压。该引脚应连接至VIN,但也可连接至较低的供电电压(>5V),以降低内部线性稳压器的损耗。 |
| 2 | PGOOD | 开漏型电源好指示——高阻抗状态表示电源正常,需要一个外部上拉电阻。 |
| 3 | EN | 使能引脚:将该引脚接高电平或低电平,以相应地使能或禁用该芯片。该引脚兼容高压,可直接连接至VIN。 |
| 4 | BOOT | 高侧驱动器自举电压 |
| 5, 6 | PHASE | 高侧栅极驱动器的返回路径 |
| 7, 8, 29 | VIN | 功率级输入电压,高侧MOSFET的漏极 |
9, 10, 11, 17, 30 | PGND | 电源地 |
12, 13, 14 | SW | 功率开关节点 |
15 | GL | 低侧MOSFET栅极信号 |
| 16 | VDRV | 内部栅极驱动器的供电电压。当使用内部LDO作为偏置电源时,VDRV为LDO输出端。将一个4.7μF的去耦电容连接至PGND。 |
| 18 | ULTRASONIC | 悬空以禁用超音速模式,连接至VDD以启用该模式。根据模式引脚设定的工作模式,当超音速模式被禁用时,将启用节能模式或强制连续模式。 |
| 19 | SS | 通过将电容器连接至AGND来设置软启动斜坡;内部电流源将对电容器进行充电。 |
| 20 | VSNS | 用于系统稳定性补偿的功率电感信号反馈引脚 |
| 21 | COMP | 内部误差放大器的输出端,反馈环路补偿网络从该引脚连接至AGND引脚。 |
| 22 | VFB | 用于编程开关稳压器输出电压的反馈输入端——需连接至从VOUT到AGND的外部分压电阻器。 |
23, 28 | AGND | 模拟地 |
| 24 | fSW | 通过将电阻器连接至AGND来设定通电时间 |
| 25 | ILIMIT | 通过将电阻器连接至AGND来设置电流限值 |
| 26 | VDD | IC的偏置电源。VDD为LDO输出端,需将1μF去耦电容连接至AGND。 |
| 27 | MODE | 通过将电阻器连接至AGND来设置各种操作模式,详情请参阅规格表。 |
3、参数
限值
推荐值
注:当输入电压低于5V时,需向VCIN引脚提供一个至少为5V的独立电源,以防止内部VDD电源轨的欠压锁定(UVLO)功能被触发。
4、功能框图
图4 SiC47x功能框图
5、工作描述
1)器件概述
SiC47x是一款高效率同步降压稳压器系列,可提供高达12A的连续电流输出。该器件具有可编程开关频率范围(100kHz~2MHz),采用电压模式、恒占空比控制方案,可实现快速瞬态响应,最大限度减少外部元件数量,并能确保无论使用何种输出电容(包括低ESR陶瓷电容)均能保持环路稳定性。该器件还集成了节能功能,可启用二极管模拟模式及负载降低时的频率折返功能。
SiC47x具备完整的保护与监控功能:
逐脉冲过流保护;
输出过压保护;
具有自动重试功能的输出欠压保护;
带有滞后特性的过温保护;
专用使能引脚,便于电源时序控制;
电源良好状态开漏输出;
本器件采用MLP55-27L封装,可实现高功率密度并最大限度减小PCB面积。
2)功率级
SiC47x集成了高性能功率级,其中包含一个N沟道高侧MOSFET和一个N沟道低侧MOSFET,经优化可实现高达98%的效率。用于功率转换的电源输入电压(VIN)可高达55V,低至4.5V。
3)控制线路
SiC47x采用电压模式COT控制机制,并结合自适应零电流检测技术,可在不连续导通模式(DCM)下实现节能。开关频率fSW由外部电阻AGND(Rfsw)设定,计算公式如下。SiC47x的工作频率范围为100kHz至2MHz,具体取决于VIN和VOUT的条件。
注意:只要VIN与VCIN连接在一起,开关频率fSW就与VIN无关,因为导通时间会随VIN的变化而调整。
在稳态工作期间,反馈电压(VFB)与内部基准电压(典型值0.8V)进行比较,同时放大后的误差信号(Vcomp)在补偿节点处由外部补偿元件Rcomp和Ccomp 产生。一个外部产生的斜坡信号与Vcomp一同输入至比较器。▲整体框图见图4。
一旦Vramp超过Vcomp,便会产生一个固定时长的导通脉冲。在导通脉冲期间,高侧MOSFET将导通。导通脉冲结束后,经过一段死区时间,低侧MOSFET将导通。低侧MOSFET将保持导通一段最小持续时间(等于最小关断时间tOFF_MIN),并维持导通状态直至Vramp再次超过Vcomp。随后该周期重复进行。
▼图6展示了采用外部纹波注入的电压模式、恒定占空比架构Vramp的基本框图,而图5则展示了其基本工作原理。
图5 SiC47x工作原理
图6 SiC47x控制框图
设计辅助工具
PowerCAD在线设计仿真:https://vishay.transim.com/landing.aspx,速度很慢,不好用。