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1.存储系统的基本概念

回顾前面的现在计算机结构。

存储器分为主存和辅存。其中主存属于主机，而辅存属于I/O设备。

3.1.1 存储器的层次化结构

3.1.2 存储器的分类

1. 用层次分类存储器

2. 用存储介质分类存储器

3. 用存取方式分类存储器

4. 用信息的可更改行分类存储器

ROM进行读写很麻烦，进行写的时候，需要吧原本数据进行删除，才能重新写入

5. 用信息的可保存性分类存储器

3.1.3 存储器的性能指标

在存储器启动存取，执行完存取后，存储器需要有恢复时间

3.1.4 总结

3.2 主存储器的基本组成

电容是由两个金属板组成。下面金属板是接到地面的，即电压为0V，如果我们给电容的上铁板一个5V的高电平电压，形成了一个电压差，那么就是会让电容里的电荷流动，并且保留一定电荷，也就是给电容充电。如果我们给上面输入的是1V或者0V的低电压，电压差很小，那么就不会产生电容充电。

假设电容里保留了一些电荷，我们规定当保留了一些电荷时，我们就记为一个二进制的1，用这个二进制的1来表示电容里面有电荷。我们如何读取这个二进制的1？我们先对MOS管输入一个高电频，记做一个二进制的1。（根据MOS管的概念，当输入电压达到某个阀值，就可以接通，我们这里输入的就是足够接通的一个高电频。）此时MOS管接通了，我们这个电容里的电荷，即记做的二进制1可以顺着管道往外流。外面那端端口检测到有电流时，也就意味着输出了二进制的1。

如果电容里没有保留电荷，也就是记为二进制的0，当mos管接通时，我们不能检测到有电流流出，也就是输出二进制的0。

那如何写入一个二进制的1（给电容充电）？给输入端口一个高电频电压，MOS
管接通，电容的上铁板接入高电频，下铁板接入的是地面，0V，产生了电位差。也就是给电容充电，我们再将MOS管断开，电容里面的电荷就跑不出去了，记做写入一个二进制的1。

这就是存储原件存储二进制0和1的原理。

红色线的1，代表的是这几个存储单元的MOS管一起被接通

如果要读一个指定位置的信号，我们根据地址找到地方，然后我们再让该地址的片选线给一个低电频，其他地方的片选线给高电频，就可以实现了

每个地址线会对应一根金属引脚，每个数据线也会对应一根金属引脚，片选线也会对应一根金属引脚，。 读写控制线也会对应金属引脚，这里注意区分，如果读写时一根控制线的话，就对应一根金属引脚；如果读写控制线是两根线（即读，写分开），就对应两根金属引脚

3.3 SRAM和DRAM

对于刷新这个概念，做出如下解释：

3.4 只读存储器 ROM

双端口ROM不能在两端口对同一个地址进行同时写，因为可能会造成数据的覆盖。如果双端口两端对同一地址同时进行写和读的操作，可能导致读取数据有误