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晶圆制造（前道工艺）是在晶圆表面构建集成电路的复杂过程，光刻和刻蚀是其中决定图形精度的核心步骤，二者通常交替进行多次。

光刻（Photolithography）：绘制“临时图纸”

光刻的本质是把设计好的电路图从掩膜版（Reticle）转移到晶圆表面的光刻胶上，类似“胶片冲印”。

1. 涂胶：在晶圆表面均匀旋涂一层对光敏感的材料（光刻胶）。

2. 曝光：用特定波长的光（如深紫外 DUV 或极紫外 EUV）透过画有电路图形的掩膜版照射光刻胶，被光照到的区域会发生化学变化（正胶变软、负胶变硬）。

   3.显影：用化学药液冲洗，去掉发生变化的胶，留下与设计图一致的光刻胶图形，露出下方待加工的薄膜。

刻蚀（Etching）：按图“雕刻实体”

刻蚀是利用物理或化学方法，把光刻胶露出来的区域下方的材料（如二氧化硅、金属、多晶硅）去掉，而受光刻胶保护的地方保留，类似“照着模板镂空雕刻”。

*干法刻蚀（主流）：用等离子体轰击表面，物理撞击+化学反应同步进行，方向性好、精度高，能做纳米级细微结构。

• 湿法刻蚀：用化学溶液腐蚀，各向同性（横向也会蚀掉一点），适合较粗糙或大尺寸结构。

  刻蚀完成后，会把剩下的光刻胶剥离清洗，此时电路图形就已经“永久”留在晶圆材料上了。

这两步之后通常会配合沉积、离子注入等工序，每做完一轮就重新涂胶—光刻—刻蚀，层层叠加形成立体复杂的晶体管与互连结构。