AI 服务器、GPU 加速卡等设备对电源提出极致要求:超高功率密度、超快动态响应、超高效率及智能化管理。微碧半导体基于先进的 Trench 工艺,提供从主功率转换、同步整流到负载点、电源路径管理的完整 MOSFET 解决方案,助力 AI 电源突破效率与密度极限。
⚡ AI 电源核心三阶功率组合
| 型号 | 封装 | 电压/电流 | 导通电阻 | 在 AI 电源中的角色 |
|---|---|---|---|---|
| VBQF3316 | DFN8(3x3)-B | 30V / 26A | 16mΩ @10V | 同步整流/核心 DC-DC |
| VBK1240 | SC70-3 | 20V / 5A | 26mΩ @4.5V | 高效负载开关 |
| VB5222 | SOT23-6 | ±20V / 5.5A | 22/55mΩ @10V | 智能电源路径管理 |
🔹 VBQF3316 · 高频大电流核心 Trench 工艺
| 封装 | DFN8(3x3)-B 双N沟道 |
| VDS / ID | 30V / 26A (每路) |
| RDS(on) @10V | 16mΩ (max) |
| 栅极电荷 Qg | 极低 (典型) |
📌 AI 电源中的关键作用:应用于 12V/5V 同步整流 Buck 或多相 VRM,为 CPU/GPU 核心供电。26A 超大电流与 16mΩ 超低内阻,显著降低导通损耗,DFN 封装利于散热与高密度布局,支持 MHz 级开关频率,满足 AI 芯片瞬时大电流需求。
⚡ VBK1240 · 极致密度负载开关 Trench 工艺
| 封装 | SC70-3 (单N沟道) |
| VDS / ID | 20V / 5A |
| RDS(on) @4.5V | 26mΩ (max) |
| Vth 范围 | 0.5~1.5V (逻辑电平驱动) |
📌 AI 电源中的关键作用:用于 PCIe 插槽、NVMe SSD、DDR 内存等模块的供电使能与智能功耗管理。SC70-3 是业界最小封装之一,5A 电流下仅 26mΩ 的导通电阻,功耗极低,0.5V 低阈值可由 MCU/PMIC 直接驱动,实现 AI 负载的快速上电、下电与状态切换。
🧠 VB5222 · 智能电源路径管家 Trench N+P
| 封装 | SOT23-6 双N+P沟道 |
| VDS / ID | ±20V / 5.5A(N) 3.4A(P) |
| RDS(on) @10V | 22mΩ (N) / 55mΩ (P) |
| Vth 范围 | 1.0V (N) / -1.2V (P) |
📌 AI 电源中的关键作用:集成 N+P 沟道于微型封装,完美适用于 OR-ing(冗余电源)、热插拔、电源多路选择及智能放电回路。一颗芯片解决复杂电源时序与路径管理问题,为 AI 服务器中的备用电源切换、模块安全插拔提供高可靠性、高集成度的解决方案。
🔧 AI 服务器电源功率链示意图
| PFC ➔ LLC / 同步整流 ➔ 12V/5V DC-DC (VBQF3316) |
| 多相 VRM (CPU/GPU) ⬇️ 负载开关 (VBK1240) |
| 电源路径/时序管理 (VB5222) |
📋 推荐选型配置 (基于应用场景)
| 应用场景 | 功率转换级 | 负载/模块控制 | 电源管理 |
|---|---|---|---|
| GPU 加速卡供电 | VBQF3316 × N (多相并联) | VBK1240 × 2-4 | VB5222 × 1 |
| AI 服务器主板 VRM | VBQF3316 × N (多相) | VBK1240 × 6-10 | VB5222 × 1-2 |
| 高密度 PoL 模块 | VBQF3316 × 1-2 | VBK1240 × 1 (可选) | - |
🌍 为什么这套方案匹配 AI 电源趋势?
| ✅超高功率密度— DFN8、SC70、SOT23 等微型封装,最大化利用 PCB 空间。 |
| ✅极致效率— mΩ 级超低导通电阻,显著降低全链路导通损耗。 |
| ✅智能化管理— 逻辑电平驱动与 N+P 组合,赋能 AI 电源的智能开关、时序与路径控制。 |
| ✅高频高性能— Trench 工艺优化开关特性,支持 MHz 级开关频率,满足动态响应需求。 |