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2026/7/13 2:41:32
Season 01: Lithography & Semiconductor Manufacturing Core (1–25)
Core Thesis:Breaking the 1nm physical bottleneck of the semiconductor industry.
核心命题：击穿半导体产业 1nm 物理极限。
Kernthese:Durchbrechen der 1-nm-Physikgrenze der Halbleiterindustrie.
Index / 目录 / Inhaltsverzeichnis
| No. | English Topic | 中文课题 | German Topic |
|---|---|---|---|
| 1 | EUV Light Source:Sn target plasma conversion efficiency (>6%) & debris control. | EUV 光源：锡滴（Sn）靶等离子体转换效率（CE>6%）与碎屑污染控制。 | EUV-Lichtquelle:Sn-Target Plasmakonversions-Effizienz (>6%) & Trümmerkontrolle. |
| 2 | EUV Mirrors:Mo/Si multilayer film (>100 layers) with interface roughness (<0.2nm). | EUV 反射镜：Mo/Si 多层膜（>100层）原子级界面粗糙度（<0.2nm）。 | EUV-Spiegel:Mo/Si-Multilagenfilm (>100 Schichten) mit Grenzflächenrauheit (<0.2nm). |
| 3 | Dual Wafer Stages:Nanometer synchronous motion (<1nm) & Abbe error compensation. | 双工件台：纳米级（<1nm）同步运动与阿贝误差补偿。 | Doppel-Wafer-Stages:Nanometer-Synchronbewegung (<1nm) & Abbé-Fehlerkompensation. |
| 4 | Vacuum Systems:Cleanliness >10⁻⁸ Pa & hydrocarbon contamination control. | 真空系统：>10⁻⁸ Pa 洁净度与烃类碳氢污染控制。 | Vakuumsysteme:Reinheit >10⁻⁸ Pa & Kohlenwasserstoff-Verunreinigungskontrolle. |
| 5 | Grating Interferometers:Picometer displacement (<10pm) & thermal drift suppression. | 光栅干涉仪：皮米级（<10pm）位移测量与热漂移抑制。 | Gitterinterferometer:Pikometer-Verschiebung (<10pm) & thermische Driftunterdrückung. |
| 6 | ALD Reactors:Precursor pulse uniformity & step coverage (>99%). | ALD 反应腔：前驱体脉冲均匀性与台阶覆盖（>99%）。 | ALD-Reaktoren:Präkursor-Pulsuniformität & Stufenabdeckung (>99%). |
| 7 | Ion Implantation:Beam current (>10mA) uniformity (<0.5%) & energy contamination (<0.1%). | 离子注入：束流（>10mA）均匀性（<0.5%）与能量污染（<0.1%）。 | Ionenimplantation:Strahlstrom (>10mA) Uniformität (<0.5%) & Energieverunreinigung (<0.1%). |
| 8 | CMP Equipment:Polishing pressure (<1psi) accuracy & real-time pad wear compensation. | CMP 设备：抛光压力（<1psi）精度与抛光垫磨损实时补偿。 | CMP-Ausrüstung:Polierdruck (<1psi) Genauigkeit & Echtzeit-Pad-Verschleißkompensation. |
| 9 | Defect Inspection:>10nm defect imaging (>1000 wph) & AI auto-classification. | 缺陷检测：>10nm 缺陷高速成像（>1000wph）与 AI 自动分类。 | Defekterkennung:>10nm Defektabbildung (>1000 wph) & KI-Autoklassifizierung. |
| 10 | Flip-Chip Bonding:Cu pillar coplanarity (<1μm) & underfill flow control. | 倒装键合：Cu pillar 铜柱共面性（<1μm）与底部填充胶流动控制。 | Flip-Chip-Bonden:Cu-Pfeiler-Koplanarität (<1μm) & Underfill-Flusskontrolle. |
| 11 | EUV Photoresist:Resolution (<13nm) & line-edge roughness (LER <2nm). | EUV 光刻胶：分辨率（<13nm）、线边缘粗糙度（LER<2nm）。 | EUV-Photolack:Auflösung (<13nm) & Linienrandrauheit (LER <2nm). |
| 12 | ArF Immersion Resist:Long-term suppression of water marks & bubble defects. | ArF 浸没光刻胶：水痕、气泡类浸没缺陷长效抑制。 | ArF-Immersionsresist:Langfristige Unterdrückung von Wasserflecken & Blasendefekten. |
| 13 | 300mm Silicon Wafers:Bulk oxygen (<10ppb) & radial resistivity uniformity (<1%). | 12 英寸硅片：体内氧含量（<10ppb）、径向电阻率均匀性（<1%）。 | 300mm-Siliziumwafer:Volumen-Sauerstoff (<10ppb) & radiale Widerstandsuniformität (<1%). |
| 14 | EUV Mask Substrates:Glass ceramic CTE < ±30ppb/K. | EUV 掩模基板：超低热膨胀玻璃陶瓷 CTE < ±30ppb/K。 | EUV-Maskensubstrate:Glas-Keramik CTE < ±30ppb/K. |
| 15 | Specialty Gases:NF₃ purity >99.999% & trace metals <0.1ppb. | 高纯电子特气：NF₃ 纯度＞99.999%，痕量金属杂质 <0.1ppb。 | Spezialgase:NF₃-Reinheit >99,999% & Spurenmetalle <0,1ppb. |
| 16 | Sputtering Targets:High-purity Ta (>99.995%) grain orientation & film uniformity. | 溅射靶材：高纯 Ta 靶（>99.995%）晶粒取向与薄膜全域均匀性。 | Sputtertargets:Hochreines Ta (>99,995%) Kornorientierung & Schichteinheitlichkeit. |
| 17 | CMP Consumables:Pad micropore structure (>50μm) & fluid dynamics optimization. | CMP 耗材：抛光垫微孔结构（>50μm）、沟槽流体动力学优化。 | CMP-Verbrauchsmaterialien:Pad-Mikroporenstruktur (>50μm) & Fluiddynamikoptimierung. |
| 18 | EDA Full-Flow Signoff:7nm & GAA parasitic extraction accuracy. | EDA 签核：7nm 及 GAA 环绕栅架构寄生参数高精度提取。 | EDA-Vollfluss-Signoff:7nm & GAA-Parasitärenentraktion-Genauigkeit. |
| 19 | OPC Computational Lithography:Sub-resolution assist features (SRAF) global optimization. | OPC 计算光刻：亚分辨率辅助图形（SRAF）全局最优求解。 | OPC-Computational Lithography:Sub-Auflösungs-Assistenzmerkmale (SRAF) globale Optimierung. |
| 20 | CPU/GPU Architecture:Out-of-order execution power wall constraint breakthrough. | 高性能 CPU/GPU：乱序执行微架构功耗墙约束突破。 | CPU/GPU-Architektur:Ungeordnete Ausführung Stromverbrauchs-Wand-Durchbruch. |
| 21 | MLCC Thin Ceramics:Dielectric layers <1μm & Ni electrode co-firing. | MLCC 薄层陶瓷：陶瓷介质 <1μm、镍内电极共烧兼容体系。 | MLCC-Dünnschichtkeramik:Dielektrikum <1μm & Ni-Elektroden-Mitbrand. |
| 22 | FPGA Massive Routing:LUT interconnect delay & congestion balance. | FPGA 大规模布线：LUT 查找表互连延迟与布线拥塞平衡。 | FPGA-Massenverdrahtung:LUT-Verbindungsverzögerung & Stau-Balance. |
| 23 | Aero Single-Crystal Blades:Solidification gradient (>100K/cm) & stray grain suppression. | 航空单晶叶片：定向凝固温度梯度（>100K/cm）、杂晶抑制。 | Luftfahrt-Einkristallklingen:Erstarrungsgradient (>100K/cm) & Streukornunterdrückung. |
| 24 | SiC/SiC CMC:Hi-Nicalon fiber BN oxidation-resistant coating. | SiC/SiC 陶瓷基复合材料：Hi-Nicalon 纤维 BN 抗氧化涂层。 | SiC/SiC-CMC:Hi-Nicalon-Faser BN-oxidationsbeständige Beschichtung. |
| 25 | P4 Bearings:Adaptive preload & high-speed thermal elongation compensation. | 超精密 P4 轴承：预紧力自适应、高速热伸长补偿。 | P4-Lager:Adaptive Vorspannung & Hochgeschwindigkeits-Wärmedehnungskompensation. |
Status:Active R&D Targets.
Author:Yang, Jianbin (杨建宾)
License:See Root Directory.