3DS GBA原生运行技术全解析：从兼容性突破到性能优化实践
2026/4/6 12:14:34
特性
5-40V输入电压范围内部N沟道功率FET的低Rds(on):180mO
800千赫兹开关频率自适应恒定关断时间控制内部软启动限制浪涌电流
2%0.6V参考电压
符合RoHS标准且无卤素紧凑封装:SOT23-6
SILERGY矽力杰 SY8291ABC SOT23-6 DC-DC电源芯片
特性
5-40V输入电压范围内部N沟道功率FET的低Rds(on):180mO
800千赫兹开关频率自适应恒定关断时间控制内部软启动限制浪涌电流
2%0.6V参考电压
符合RoHS标准且无卤素紧凑封装:SOT23-6